Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.

Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNDS9948Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1700705RL
Cắt Băng1700705
Mã sản phẩm của bạn
1,944 có sẵn
15,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
1,944 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.874 | US$4.37 |
| Tổng Giá | US$4.37 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.874 |
| 50+ | US$0.791 |
| 100+ | US$0.708 |
| 500+ | US$0.557 |
| 1000+ | US$0.512 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNDS9948Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1700705RL
Cắt Băng1700705
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.3A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.25ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The NDS9948 is a dual P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been optimized for applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 to 20V). The device is suitable for use with load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 2A Continuous drain current
- 1.6A Pulsed drain current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.25ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00011
