Trang in
NXH50M65L4C2SG
IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
6 có sẵn
Bạn cần thêm?
6 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$72.800 |
| 5+ | US$69.030 |
| 10+ | US$64.680 |
| 50+ | US$61.310 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$72.80
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNXH50M65L4C2SG
Mã Đặt Hàng3872101
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Thông số kỹ thuật
IGBT Configuration
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001