Trang in
TP70H150G4LSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 11.3 nC, QFN, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
| Nhà Sản Xuất | RENESAS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | TP70H150G4LSG-TRSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 16 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Cắt Băng4680962 Cắt Băng4680962RL |
| Phạm vi sản phẩm | SuperGaN Series |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
2,409 có sẵn
Bạn cần thêm?
2,409 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.030 |
| 10+ | US$2.050 |
| 100+ | US$1.860 |
| 500+ | US$1.740 |
| 1000+ | US$1.640 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.03
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | RENESAS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | TP70H150G4LSG-TRSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 16 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Cắt Băng4680962 Cắt Băng4680962RL |
| Phạm vi sản phẩm | SuperGaN Series |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Drain Source Voltage Vds | 700V |
| Continuous Drain Current Id | 14.2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.18ohm |
| Typical Gate Charge | 11.3nC |
| Transistor Case Style | QFN |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | SuperGaN Series |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tổng Quan Sản Phẩm
TP70H150G4LSG-TR is a 700V, 150mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Thông số kỹ thuật
| Drain Source Voltage Vds | 700V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 0.18ohm |
| Transistor Case Style | QFN |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| Continuous Drain Current Id | 14.2A |
|---|---|
| Typical Gate Charge | 11.3nC |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | SuperGaN Series |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | Philippines Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .000001 |