Trang in
GNP1070TC-ZE2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGNP1070TC-ZE2Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất24 tuần
Mã Đặt Hàng4172944
Mã sản phẩm của bạn
107 có sẵn
Bạn cần thêm?
107 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$10.370 |
| 5+ | US$8.530 |
| 10+ | US$6.690 |
| 50+ | US$6.330 |
| 100+ | US$6.080 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$10.37
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGNP1070TC-ZE2Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất24 tuần
Mã Đặt Hàng4172944
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.2nC
Transistor Case StyleDFN8080K
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
DFN8080K
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
5.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000012