Trang in
SCTL90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
| Nhà Sản Xuất | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | SCTL90N65G2VSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 24 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu3748721RL Cắt Băng3748721 |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
1,472 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,472 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$31.200 | US$31.20 |
| Tổng Giá | US$31.20 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$31.200 |
| 5+ | US$29.950 |
| 10+ | US$28.700 |
| 50+ | US$27.450 |
| 100+ | US$26.200 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | STMICROELECTRONICS |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | SCTL90N65G2VSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 24 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu3748721RL Cắt Băng3748721 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Channel Type | N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 40A |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Drain Source On State Resistance | 0.018ohm |
| Transistor Case Style | PowerFLAT |
| No. of Pins | 5Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3.2V |
| Power Dissipation | 935W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 3 - 168 hours |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tổng Quan Sản Phẩm
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
| MOSFET Module Configuration | Single |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 40A |
| Drain Source On State Resistance | 0.018ohm |
| No. of Pins | 5Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3.2V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| MSL | MSL 3 - 168 hours |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Transistor Case Style | PowerFLAT |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Power Dissipation | 935W |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .00018 |