Trang in

SGT3D5R10MEB

Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Surface Mount

Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.

Nhà Sản Xuất	STMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất	SGT3D5R10MEBSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất	16 tuần
Mã Đặt Hàng	5116009
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật	Bảng Tính Xem tất cả Tài Liệu Kỹ Thuật

185 có sẵn

Bạn cần thêm?

185 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)

Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)

Tối thiểu: 1

Nhiều: 1

US$3.88

Ghi chú dòng

Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.

Nhà Sản Xuất	STMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất	SGT3D5R10MEBSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất	16 tuần
Mã Đặt Hàng	5116009
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật	Bảng Tính
Drain Source Voltage Vds	100V
Continuous Drain Current Id	201A
Drain Source On State Resistance	3500µohm
Typical Gate Charge	7.6nC
Transistor Case Style	En-FCLGA
Transistor Mounting	Surface Mount
No. of Pins	9Pins
Product Range	-
Qualification	-
SVHC	No SVHC (04-Feb-2026)

Drain Source Voltage Vds	100V
Drain Source On State Resistance	3500µohm
Transistor Case Style	En-FCLGA
No. of Pins	9Pins
Qualification	-

SGT3D5R10MEB Bảng Tính

Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:	China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:	85412900
US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:	Chờ thông báo
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:	Chờ thông báo
SVHC:	No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm	Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):	.000001