Trang in
STB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTB8NM60T4
Mã Đặt Hàng2344089
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,321 có sẵn
Bạn cần thêm?
700 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
621 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.590 |
| 10+ | US$1.580 |
| 100+ | US$1.560 |
| 500+ | US$1.540 |
| 1000+ | US$1.520 |
| 5000+ | US$1.490 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.59
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTB8NM60T4
Mã Đặt Hàng2344089
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tổng Quan Sản Phẩm
The STB8NM60T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001921