Trang in
STF10NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTF10NM60N
Mã Đặt Hàng2098196
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
453 có sẵn
Bạn cần thêm?
453 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.360 |
| 10+ | US$1.820 |
| 100+ | US$1.740 |
| 500+ | US$1.670 |
| 1000+ | US$1.280 |
| 5000+ | US$1.260 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.36
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTF10NM60N
Mã Đặt Hàng2098196
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
STF10NM60N is a N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is Therefore, suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- 600V drain-source breakdown voltage
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 550 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 10A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.007257