Trang in
STGF10NB60SD
IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTGF10NB60SD
Mã Đặt Hàng1293652
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTGF10NB60SD
Mã Đặt Hàng1293652
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation25W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220FP
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The STGF10NB60SD is a low drop IGBT with soft and fast recovery diode. This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low ON-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1kHz). It is suitable for light dimmer and static relays.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- High current capability
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
Ứng Dụng
Motor Drive & Control, Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
20A
Power Dissipation
25W
Transistor Case Style
TO-220FP
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.004234