Trang in
STH275N8F7-6AG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 180 A, 1700 µohm, H2PAK-6, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTH275N8F7-6AGSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3132746RL
Cắt Băng3132746
Phạm vi sản phẩmSTripFET F7
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 19 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$5.920 | US$5.92 |
| Tổng Giá | US$5.92 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$5.920 |
| 10+ | US$3.110 |
| 100+ | US$2.830 |
| 500+ | US$2.820 |
| 1000+ | US$2.800 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTH275N8F7-6AGSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3132746RL
Cắt Băng3132746
Phạm vi sản phẩmSTripFET F7
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleH2PAK-6
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation315W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
STH275N8F7-6AG is an automotive-grade N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET. This N-channel power MOSFET utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Typically used for switching applications.
- AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 80V drain-source breakdown voltage
- 2.1mohm static drain-source on-resistance max
- 180A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range -55 to 175°C
- H²PAK-6 package
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
H2PAK-6
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00035