Trang in
STP34NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTP34NM60NDSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất45 tuần
Mã Đặt Hàng2098318
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 45 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$12.370 |
| 10+ | US$7.230 |
| 100+ | US$7.130 |
| 500+ | US$7.080 |
| 1000+ | US$6.780 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$12.37
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTP34NM60NDSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất45 tuần
Mã Đặt Hàng2098318
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The STP34NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ V Power MOSFET produced using ST's MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low ON-resistance that is unrivalled among silicon-based Power MOSFET and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.
- The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
- Low gate input resistance
- Extremely high dV/dt and avalanche capabilities
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.19