STPSC4H065B-TR
Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 4 A, 12.5 nC, TO-252
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.160 |
| 10+ | US$0.900 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The Schottky Silicon-Carbide Diodes from STMicroelectronics take advantage of SiC's impressive performance over standard Silicon. Offering double or triple the bandgap in comparison to silicon means that SIC devices can tolerate much higher voltages and electric fields. The low reverse recovery characteristics increase efficiency in all systems thanks to their low forward voltage and make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings. These savings are found in SMPS applications as well as solar energy conversion, EV or HEV charging stations, and many more. The product ranges from 600V to 1200Vin through hole and SMD packages.
Thông số kỹ thuật
650V
650V
12.5nC
3 Pin
Surface Mount
No SVHC (21-Jan-2025)
Single
4A
TO-252 (DPAK)
175°C
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm