Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.

Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTS6NF20VSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu9935762RL
Cắt Băng9935762
Mã sản phẩm của bạn
1,380 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,380 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$1.050 | US$1.05 |
| Tổng Giá | US$1.05 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.050 |
| 10+ | US$0.479 |
| 100+ | US$0.414 |
| 500+ | US$0.326 |
| 1000+ | US$0.320 |
| 5000+ | US$0.314 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTS6NF20VSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu9935762RL
Cắt Băng9935762
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.7V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The STS6NF20V is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- Ultra low threshold gate drive
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
2.7V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000127
