Trang in
STW26NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW26NM50
Mã Đặt Hàng1468007
Phạm vi sản phẩmSTW
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
700 có sẵn
Bạn cần thêm?
700 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$12.180 |
| 10+ | US$7.700 |
| 100+ | US$6.990 |
| 500+ | US$6.980 |
| 1000+ | US$6.790 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$12.18
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW26NM50
Mã Đặt Hàng1468007
Phạm vi sản phẩmSTW
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tổng Quan Sản Phẩm
The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
Ứng Dụng
Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho STW26NM50
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Không
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Không
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.004309