Trang in
STW56N60M2-4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW56N60M2-4
Mã Đặt Hàng3132769
Phạm vi sản phẩmMDmesh M2
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
186 có sẵn
Bạn cần thêm?
186 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$9.710 |
| 5+ | US$8.830 |
| 10+ | US$7.950 |
| 50+ | US$7.070 |
| 100+ | US$6.190 |
| 250+ | US$5.310 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$9.71
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW56N60M2-4
Mã Đặt Hàng3132769
Phạm vi sản phẩmMDmesh M2
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation350W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho STW56N60M2-4
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00035