Trang in
STW9N150
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 8 A, 1.8 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW9N150
Mã Đặt Hàng2098402
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
5,653 có sẵn
Bạn cần thêm?
5653 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$10.410 |
| 5+ | US$8.290 |
| 10+ | US$6.170 |
| 50+ | US$5.710 |
| 100+ | US$5.680 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$10.41
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTW9N150
Mã Đặt Hàng2098402
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance1.8ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation320W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Tổng Quan Sản Phẩm
The STW9N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Avalanche ruggedness
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- High speed switching
- Very low on-resistance
Ứng Dụng
Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.006588