Trang in
RFM04U6P(TE12L,F)
RF FET Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
712 có sẵn
Bạn cần thêm?
712 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.240 |
| 10+ | US$2.730 |
| 100+ | US$2.020 |
| 500+ | US$1.740 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.24
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtRFM04U6P(TE12L,F)
Mã Đặt Hàng3872262
Được Biết Đến NhưRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds16V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
16V
Power Dissipation
7W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001