Trang in
RFM04U6P(TE12L,F)
RF FET Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtRFM04U6P(TE12L,F)
Mã Đặt Hàng3872262RL
Được Biết Đến NhưRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
49 có sẵn
Bạn cần thêm?
49 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$2.280 |
| 500+ | US$2.020 |
| 1000+ | US$1.810 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Số lượng tối đa có sẵn là 49
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$228.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtRFM04U6P(TE12L,F)
Mã Đặt Hàng3872262RL
Được Biết Đến NhưRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds16V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
16V
Power Dissipation
7W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Japan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000119