Trang in
TPN2R703NL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTPN2R703NL,L1Q(MSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất24 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4173231RL
Cắt Băng4173231
Phạm vi sản phẩmU-MOSVIII-H Series
Được Biết Đến NhưTPN2R703NL, TPN2R703NL,L1Q
Mã sản phẩm của bạn
3,093 có sẵn
Bạn cần thêm?
3,093 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$1.500 | US$1.50 |
| Tổng Giá | US$1.50 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.500 |
| 10+ | US$0.946 |
| 100+ | US$0.627 |
| 500+ | US$0.490 |
| 1000+ | US$0.408 |
| 5000+ | US$0.376 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTOSHIBA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTPN2R703NL,L1Q(MSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất24 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4173231RL
Cắt Băng4173231
Phạm vi sản phẩmU-MOSVIII-H Series
Được Biết Đến NhưTPN2R703NL, TPN2R703NL,L1Q
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance2200µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation42W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
TPN2R703NL,L1Q(M is a N-CH 30V, 45A MOSFET in surface mount 8TSON package. Suitable for High-Efficiency DC-DC converters and switching voltage regulators.
- High-speed switching
- Small gate charge QSW is 5.2nC (typ)
- Low drain-source on-resistance RDS(ON) is 3.3mohm (typ.) (VGS = 4.5V)
- Low leakage current IDSS is 10µA (max) (VDS = 30V)
- Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)
- 30V VDSS drain source voltage
- ±20VGSS gate source voltage
- 45A avalanche current
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000066