Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$54.390 |
5+ | US$51.780 |
10+ | US$49.650 |
50+ | US$47.750 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The TS1GSK64V6H is a 512M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR3 SO-DIMM use DDR3 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- 8-bit Pre-fetch
- Internal calibration through ZQ pin
- On die termination with ODT pin
- Serial presence detect with EEPROM
- Asynchronous reset
Ứng Dụng
Computers & Computer Peripherals, Portable Devices
Thông số kỹ thuật
8GB
PC3-12800
Notebook SODIMM
1.425V
1.5V
85°C
No SVHC (14-Jun-2023)
1600MHz
204-Pin DDR3 SO-DIMM
-
1.575V
0°C
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm