Trang in

TP65H050G4YS

Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Through Hole

Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.

Nhà Sản Xuất	RENESAS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất	TP65H050G4YSSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất	28 tuần
Mã Đặt Hàng	4371968
Phạm vi sản phẩm	SuperGaN Series
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật	Bảng Tính Xem tất cả Tài Liệu Kỹ Thuật

105 có sẵn

Bạn cần thêm?

105 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)

Giá cho:Each

Tối thiểu: 1

Nhiều: 1

US$11.19

Ghi chú dòng

Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.

Nhà Sản Xuất	RENESAS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất	TP65H050G4YSSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất	28 tuần
Mã Đặt Hàng	4371968
Phạm vi sản phẩm	SuperGaN Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật	Bảng Tính
Drain Source Voltage Vds	650V
Continuous Drain Current Id	35A
Drain Source On State Resistance	0.06ohm
Typical Gate Charge	16nC
Transistor Case Style	TO-247
Transistor Mounting	Through Hole
No. of Pins	4Pins
Product Range	SuperGaN Series
Qualification	-
SVHC	No SVHC (25-Jun-2025)

Drain Source Voltage Vds	650V
Drain Source On State Resistance	0.06ohm
Transistor Case Style	TO-247
No. of Pins	4Pins
Qualification	-

TP65H050G4YS Bảng Tính

Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:	China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:	85412900
US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:	Có RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:	Có RoHS
SVHC:	No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm	Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):	.001