Trang in
OPB710
Reflective Photo Interrupter, OPB710 Series, Phototransistor, Through Hole, 6.35 mm, 50 mA, 3 Vr
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtOPB710
Mã Đặt Hàng1497907
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 12 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$10.220 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$10.22
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtOPB710
Mã Đặt Hàng1497907
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width6.35mm
Supply Voltage Min-
Sensing Distance6.35mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Reverse Voltage Vr3V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Current IC Max25mA
Forward Voltage1.5V
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The OPB710 is a Reflective Object Sensor that consists of a gallium arsenide infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor. On each sensor, the emitting diode and detector are mounted side-by-side on parallel axes. A black plastic sleeve is attached and filled with encapsulating epoxy to cover the emitter and detector. The package contains an internal barrier which prevents diode emissions from reaching the sensor directly.
- Photodarlington output
- Unfocused for sensing diffuse surface
- Clear encapsulating epoxy
- Filtered to reduce the effect of visible or fluorescent light
Ứng Dụng
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety, Industrial
Thông số kỹ thuật
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Reverse Voltage Vr
3V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
25mA
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
70°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
6.35mm
Sensing Distance
6.35mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.5V
IP Rating
-
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002722