Trang in
SI4100DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 6.8 A, 0.063 ohm, SOIC, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4100DY-T1-GE3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất56 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1779251RL
Cắt Băng1779251
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 56 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$0.661 | US$0.66 |
| Tổng Giá | US$0.66 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.661 |
| 10+ | US$0.651 |
| 100+ | US$0.638 |
| 500+ | US$0.625 |
| 1000+ | US$0.615 |
| 5000+ | US$0.614 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4100DY-T1-GE3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất56 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu1779251RL
Cắt Băng1779251
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, LED Lighting
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SI4100DY-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005