Trang in
SI4948BEY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4948BEY-T1-E3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất75 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2396086RL
Cắt Băng2396086
Mã sản phẩm của bạn
3,432 có sẵn
12,500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
3,432 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$1.500 | US$7.50 |
| Tổng Giá | US$7.50 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.500 |
| 50+ | US$1.130 |
| 100+ | US$1.010 |
| 500+ | US$0.797 |
| 1000+ | US$0.782 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4948BEY-T1-E3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất75 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2396086RL
Cắt Băng2396086
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel2.4A
Continuous Drain Current Id P Channel2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI4948BEY-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SI4948BEY-T1-E3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Israel
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000262