Trang in
SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI5513CDC-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772765RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,291 có sẵn
Bạn cần thêm?
1291 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.357 |
| 500+ | US$0.274 |
| 1000+ | US$0.251 |
| 5000+ | US$0.227 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$35.70
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI5513CDC-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772765RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd3.1W
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
ChipFET
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001