Trang in
SIA437DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA437DJ-T1-GE3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất18 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2364068RL
Cắt Băng2364068
Mã sản phẩm của bạn
114,385 có sẵn
Bạn cần thêm?
114,385 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$0.510 | US$0.51 |
| Tổng Giá | US$0.51 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.510 |
| 10+ | US$0.466 |
| 100+ | US$0.374 |
| 500+ | US$0.357 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA437DJ-T1-GE3Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất18 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2364068RL
Cắt Băng2364068
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id29.7A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SIA437DJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Portable Devices
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
29.7A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000454