Trang in
SIA533EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA533EDJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772808RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
5,393 có sẵn
Bạn cần thêm?
5393 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.357 |
| 500+ | US$0.274 |
| 1000+ | US$0.266 |
| 5000+ | US$0.258 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$35.70
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA533EDJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3772808RL
Phạm vi sản phẩmTrench Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd7.8W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
Trench Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
7.8W
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho SIA533EDJ-T1-GE3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001