Trang in
SQ1922AEEH-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQ1922AEEH-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3104164
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
8,566 có sẵn
Bạn cần thêm?
2811 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
5755 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.550 |
| 10+ | US$0.404 |
| 100+ | US$0.284 |
| 500+ | US$0.217 |
| 1000+ | US$0.141 |
| 5000+ | US$0.139 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.75
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQ1922AEEH-T1_GE3
Mã Đặt Hàng3104164
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel850mA
Continuous Drain Current Id P Channel850mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.21ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.21ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
850mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.21ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
850mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.21ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.009