Trang in
TSHF6410
Infrared Emitter, High Speed, 890 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
2,568 có sẵn
Bạn cần thêm?
2568 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.650 |
| 10+ | US$0.451 |
| 25+ | US$0.410 |
| 50+ | US$0.369 |
| 100+ | US$0.327 |
| 500+ | US$0.272 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$0.65
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtTSHF6410
Mã Đặt Hàng1779672
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The TSHF6410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450KHz or 1.3MHz).
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
22°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.4V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho TSHF6410
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.010433