Trang in
VS-3C10ET07S2L-M3
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 10 A, 29 nC, TO-263AB (D2PAK)
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
| Nhà Sản Xuất | VISHAY |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | VS-3C10ET07S2L-M3Sao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 16 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu4486782RL Cắt Băng4486782 |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
804 có sẵn
Bạn cần thêm?
804 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$4.680 | US$4.68 |
| Tổng Giá | US$4.68 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.680 |
| 10+ | US$4.270 |
| 100+ | US$3.860 |
| 500+ | US$3.450 |
| 1000+ | US$3.050 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | VISHAY |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | VS-3C10ET07S2L-M3Sao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 16 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu4486782RL Cắt Băng4486782 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Product Range | - |
| Diode Configuration | Single |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650V |
| Average Forward Current | 10A |
| Total Capacitive Charge | 29nC |
| Diode Case Style | TO-263AB (D2PAK) |
| No. of Pins | 2 Pin |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Diode Mounting | Surface Mount |
| Qualification | - |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
Tổng Quan Sản Phẩm
VS-3C10ET07S2L-M3 is a 650V, 10A Gen 3 power SiC merged PIN schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behaviour. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Majority carrier diode using schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behaviour
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 1A whisker test
Thông số kỹ thuật
| Product Range | - |
|---|---|
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650V |
| Total Capacitive Charge | 29nC |
| No. of Pins | 2 Pin |
| Diode Mounting | Surface Mount |
| SVHC | Lead (04-Feb-2026) |
| Diode Configuration | Single |
|---|---|
| Average Forward Current | 10A |
| Diode Case Style | TO-263AB (D2PAK) |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Qualification | - |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85411000 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | Lead (04-Feb-2026) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .002 |