Trang in
CAS350M12BM3
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtWOLFSPEED
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCAS350M12BM3
Mã Đặt Hàng4258107
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1 có sẵn
Bạn cần thêm?
1 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$954.190 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$954.19
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtWOLFSPEED
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCAS350M12BM3
Mã Đặt Hàng4258107
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id417A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance4000µohm
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
417A
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
150°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho CAS350M12BM3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.345637