Trang in
CCS050M12CM2
Silicon Carbide MOSFET, 6 Pack, Half Bridge, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtWOLFSPEED
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCCS050M12CM2
Mã Đặt Hàng2317992
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
162 có sẵn
Bạn cần thêm?
162 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$547.850 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$547.85
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtWOLFSPEED
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCCS050M12CM2
Mã Đặt Hàng2317992
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation337W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The CCS050M12CM2 is a 3-phase silicon Carbide Module with zero turn-off tail current, high frequency operation, enables compact and lightweight system, high efficiency operation. Suitable for Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ diode.
- Ultra low loss
- Zero reverse recovery current
- Ease of transistor gate control
- Reduced cooling requirements
- 250A Pulsed drain current
- 150°C Junction temperature
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Medical
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
87A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
337W
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.329308