Trang in
Có thể đặt mua
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.929 | US$4.65 |
| Tổng Giá | US$4.65 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.929 |
| 10+ | US$0.660 |
| 100+ | US$0.412 |
| 500+ | US$0.284 |
| 1000+ | US$0.239 |
| 5000+ | US$0.214 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPBSS4330PASXSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất54 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2628126RL
Cắt Băng2628126
Phạm vi sản phẩmPBSS
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation600mW
Transistor Case StyleDFN2020D
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency210MHz
DC Current Gain hFE Min180hFE
Operating Temperature Max175°C
Product RangePBSS
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
PBSS4330PASX is a NPN low VCEsat transistor. This NPN low VCEsat transistor encapsulated in an ultra-thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and solderable side pads. Typical applications include loadswitch, battery-driven devices, power management, charging circuits, and power switches (e.g. motors, fans).
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat, high collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC, high efficiency due to less heat generation
- Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements, high temperature applications up to 175°C
- Leadless small SMD plastic package with soldarable side pads
- Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
- Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of the solder joint
- DC current gain is 465 typ at VCE = 2V; IC = 0.5A; pulsed; tp ≤ 300µs; δ ≤ 0.02; Tamb = 25°C
- Transition frequency is 210MHz typ at VCE = 5V; IC = 100mA; f = 100MHz;Tamb = 25°C
- DFN2020D-3 package
- Ambient temperature range from -55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
DFN2020D
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
180hFE
Product Range
PBSS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
600mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
210MHz
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000004

