Trang in
MJD200G
TRANSISTOR, RF
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMJD200GSao chép
Mã Đặt Hàng1611254
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation1.4W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min65hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Sản phẩm thay thế cho MJD200G
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
65hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1.4W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Vietnam
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Vietnam
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001