Trang in
NJW3281G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
3,007 có sẵn
Bạn cần thêm?
3007 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.420 |
| 10+ | US$4.040 |
| 100+ | US$3.660 |
| 500+ | US$3.290 |
| 1000+ | US$2.900 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.42
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNJW3281G
Mã Đặt Hàng2533337
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min45hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
NJW3281G is a complementary NPN Silicon power bipolar transistor for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. Application includes home amplifiers, home receivers (high−end consumer audio products), theatre and stadium sound systems, public address systems (PAs) (professional audio amplifiers).
- Exceptional safe operating area, NPN gain matching within 10% from 50mA to 5A
- Excellent gain linearity, high BVCEO, high frequency, greater dynamic range
- Reliable performance at higher powers, accurate reproduction of I/P signal, high amplifier bandwidth
- Symmetrical characteristics in complementary configurations
- DC current gain is 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Collector−emitter sustaining voltage is 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Collector−emitter voltage is 250VDC (1.5V, TC = 25°C), collector−base voltage is 250VDC (TC = 25°C)
- Collector cutoff current is 50µAdc at (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Current gain bandwidth product is 30MHz typ (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, ftest = 1MHz)
- TO−3P package, operating temperature range from -65 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
45hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0058