HFA3096BZ
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$12.100 |
| 5+ | US$10.400 |
| 10+ | US$8.690 |
| 50+ | US$8.620 |
| 100+ | US$8.540 |
| 250+ | US$7.360 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The HFA3096BZ is a NPN-PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
- 3.5dB Noise figure (50Ω) at 1GHz
- <lt/>1pA Collector to collector leakage
- Complete isolation between transistors
Ứng Dụng
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial, Power Management
Ghi chú
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Complementary NPN and PNP
8V
37mA
150mW
130hFE
16Pins
125°C
5.5GHz
-
No SVHC (21-Jan-2025)
8V
37mA
150mW
130hFE
SOIC
Surface Mount
8GHz
-
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm